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微纳米MOS器件可靠性与失效机理
| ISBN/价格： | 978-7-03-020586-5:CNY78.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 微纳米MOS器件可靠性与失效机理/.郝跃，刘红侠著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2008.3 |
| 载体形态项： | 14,446页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 半导体科学与技术丛书 |
| 一般附注： | 国家科学技术学术著作出版基金资助出版 |
| 提要文摘： | 本书主要介绍了微纳米MOS器件的失效机理与可靠性理论，目的是在微电子器件可靠性理论和微电子器件的设计与应用之间建立联系，阐述微纳米MOS器件的主要可靠性问题和系统的解决方法。 |
| 题名主题： | 纳米材料 微电子技术 电子器件 研究 |
| 题名主题： | 纳米材料 |
| 题名主题： | 微电子技术 |
| 中图分类： | TN4 |
| 个人名称等同： | 郝跃 著 |
| 个人名称等同： | 刘红侠 著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20090701 |