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抗辐射集成电路概论
| ISBN/价格： | 978-7-302-24547-6:CNY30.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 抗辐射集成电路概论/.韩郑生编著/.Han Zhengsheng |
| 出版发行项： | 北京:,清华大学出版社:,2011.4 |
| 载体形态项： | 17, 202页:;+图, 摹真:;+26cm |
| 丛编项： | 微电子与集成电路技术丛书 |
| 提要文摘： | 本书论述抗辐射集成电路的知识。全书共分10章, 主要内容包括抗辐射环境、辐射效应、抗辐射双极集成电路设计、抗辐射MOS集成电路设计、微处理器加固技术、存储器加固技术、模型参数、集成电路抗辐射性能评估等。 |
| 并列题名： | Introduction to radiation hardened integrated circuit eng |
| 题名主题： | 抗辐射性 集成电路 |
| 中图分类： | TN4 |
| 个人名称等同： | 韩郑生 编著 |
| 记录来源： | CN 三新书业 20111012 |