| ISBN/价格： | 978-7-111-33083-7:CNY98.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 纳米Cmos电路和物理设计/.(美) Ban P. Wong等著/.辛维平等译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2011.04 |
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| 载体形态项： | XIII, 345页:;+图:;+24cm |
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| 丛编项： | 国际信息工程先进技术译丛 |
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| 相关题名附注： | 原文题名取自版权页 |
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| 提要文摘： | 本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现整合到一起，形成了一套先进的半导体技术，探讨了器件和工艺的新发展，提供了设计考虑，重点关注了技术与设计的相互影响，并且描述了可制造性设计和波动性的影响。重要的主题包括纳米CMOS工艺缩小问题及其对设计的影响、亚波长光刻、运行问题的物理与理论以及解决方案、可制造性设计和波动性。 |
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| 并列题名： | Nano Cmos Circuit and Physical Design eng |
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| 题名主题： | 纳米材料 集成电路 电路设计 |
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| 中图分类： | TN432 |
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| 个人名称等同： | Wong Ban P. 著 |
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| 个人名称次要： | 辛维平 译 |
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| 记录来源： | CN 重大书店 20111122 |
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