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低维量子器件物理
| ISBN/价格： | 978-7-03-033849-5:CNY49.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 低维量子器件物理/.彭英才，赵新为，傅广生编著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2012.04 |
| 载体形态项： | 185页:;+24cm |
| 丛编项： | 半导体科学与技术丛书 |
| 提要文摘： | 低维量子器件是微纳电子技术研究的核心，低维量子器件物理是现代半导体器件物理的一个重组成部分。它的主要研究对象是低维量子器件的设计制作，器件性能与载流子输运动力学等内容。本书主要以异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、共振隧穿电子器件、单电子器件、量子结构激光器、量子结构红外探测器和量子结构太阳电池为主，比较系统地分析与讨论了它们的工作原理与器件特性，并对自旋电子器件、单分子器件和量子计算机等内容进行了简单介绍。 |
| 题名主题： | 半导体器件 半导体物理 |
| 题名主题： | 半导体器件 |
| 题名主题： | 半导体物理 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 彭英才 编著 |
| 个人名称等同： | 赵新为 编著 |
| 个人名称等同： | 傅广生 编著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20120927 |