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半导体材料研究进展.第一卷
| ISBN/价格： | 978-7-04-030699-6:CNY129.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体材料研究进展/.王占国，郑有炓等编著 |
| 出版发行项： | 北京:,高等教育出版社:,2012.01 |
| 载体形态项： | 623页:;+图:;+25cm |
| 丛编项： | 材料科学与工程著作系列 |
| 一般附注： | “十一五”国家重点图书 |
| 提要文摘： | 本书首先回顾了半导体材料的发展史，简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术；然后对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述；接着介绍GaAs inP为代表的Ⅲ-V族化合物单晶衬底材料、超晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用，宽禁带GaN基Ⅲ族氮化物异质结构材料和SiC单晶，外延材料及其相关器件应用；进而重点描述近年来得到迅速发展的以ZnO为代表的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的研究现状与发展趋势；最后分别介绍HgCdTe等半导体红外探测材料和金刚石与立方氮化硼半导体材料的最新研究进展。 |
| 并列题名： | Research progress of semiconductor materials eng |
| 题名主题： | 半导体材料 研究进展 |
| 中图分类： | TN304 |
| 个人名称等同： | 王占国 编著 |
| 个人名称等同： | 郑有炓 编著 |
| 记录来源： | CN 重大书店 20121117 |