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功率半导体器件基础
| ISBN/价格： | 978-7-03-034340-6:CNY150.00 |
|---|---|
| 作品语种： | eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 功率半导体器件基础/.(美) B. Jayant Baliga著 |
| 版本项： | 影印版 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2012.6 |
| 载体形态项： | 17,1065页:;+24cm |
| 丛编项： | 国外信息科学与技术优秀图书系列 |
| 一般附注： | Copyright 2008，Springer US |
| 提要文摘： | 本书主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 |
| 并列题名： | Fundamentals of power semiconductor devices eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 英文 |
| 题名主题： | 功率半导体器件 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | Baliga B. Jayant (美) 著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20130307 |