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纳米数字集成电路老化效应:分析、预测及优化
| ISBN/价格： | 978-7-302-28543-4:CNY21.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米数字集成电路老化效应/.靳松, 韩银和著 |
| 出版发行项： | 北京:,清华大学出版社:,2012.6 |
| 载体形态项： | 108页:;+图:;+23cm |
| 提要文摘： | 本书内容简介：晶体管特征尺寸随着制造工艺的进步而不断缩小。这种趋势，虽然提高了芯片的性能，却恶化了集成电路的老化效应，对电路在其服役期内的可靠性造成了严重的威胁和挑战。本文的主要内容涉及了一种公认的在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性（Negative bias temperature instability – NBTI）。介绍了NBTI效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响，并提出了相应的硅前分析、在线预测和优化方法。 |
| 题名主题： | 纳米材料 数字集成电路 老化 研究 |
| 中图分类： | TN431.2 |
| 个人名称等同： | 靳松 著 |
| 个人名称等同： | 韩银和 著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20130104 |