| ISBN/价格： | 978-7-121-17755-2:CNY59.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 碳化硅半导体材料与器件/.(美)Michael shur，(美)Sergey Rumyantsev，(美)Michael Levinshtein主编/.杨银堂，贾护军，，段宝兴译 |
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| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2012.08 |
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| 载体形态项： | 332页:;+26cm |
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| 丛编项： | 国外电子与通信教材系列 |
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| 一般附注： | 国外电子与通信教材系列 |
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| 相关题名附注： | 著者Michael shur的中文译名：舒尔 |
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| 提要文摘： | 本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiC BJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试，以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时，重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果，以及今后的发展趋势。 |
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| 并列题名： | SiC Materials and Devices,Volume I＆Ⅱ eng |
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| 题名主题： | ⅠⅥ族化合物半导体 半导体材料 高等学校 教材 |
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| 题名主题： | ⅠⅥ族化合物半导体 半导体器件 高等学校 教材 |
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| 中图分类： | TN304.2 |
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| 个人名称等同： | Michael shur 主编 |
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| 个人名称等同： | Rumyantsev 主编 |
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| 个人名称等同： | Levinshtein 主编 |
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| 记录来源： | CN 重大书店 20130402 |
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