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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
| ISBN/价格： | 978-7-03-036717-4:CNY86.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 氮化物宽禁带半导体材料与电子器件/.郝跃, 张金风, 张进成著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2013.1 |
| 载体形态项： | xi,303页:;+图:;+25cm |
| 丛编项： | 半导体科学与技术丛书 |
| 提要文摘： | 本书以作者多年的研究成果为基础, 系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法, 重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管 (HEMT) 与相关氮化物材料。 |
| 题名主题： | 氮化物 禁带 半导体材料 |
| 题名主题： | 氮化物 禁带 电子器件 |
| 中图分类： | TN304 |
| 中图分类： | TN6 |
| 个人名称等同： | 郝跃 著 |
| 个人名称等同： | 张金风 著 |
| 个人名称等同： | 张进成 著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20130510 |