| ISBN/价格： | 978-7-118-08431-3:CNY150.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 碲镉汞材料物理与技术/.杨建荣著 |
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| 出版发行项： | 北京:,国防工业出版社:,2012.11 |
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| 载体形态项： | 27,460页:;+图:;+27cm |
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| 一般附注： | 国家科学技术学术著作出版基金资助出版 总装备部国防科技图书出版基金资助 |
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| 提要文摘： | 本书共17章，第1章至第7章主要介绍碲镉汞材料的基本参数和物理性能，其中包括碲镉汞材料的力学性能和能带结构以及材料的热学、热力学、电学、光学和缺陷性能；第8章至第14章介绍材料制备所需的工艺技术，包括材料的各种生长技术、热处理技术、通用工艺技术和性能检测技术；第15章到17章主要介绍碲镉汞材料和器件之间的关系，主要内容包括材料参数对器件性能的影响，器件性能和材料参数的关系等。 |
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| 并列题名： | Physics and technology of hgcdte materials eng |
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| 题名主题： | 碲化镉 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 半导体物理 |
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| 题名主题： | 碲化镉 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 半导体技术 |
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| 中图分类： | TN304.2 |
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| 个人名称等同： | 杨建荣 著 |
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| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20130709 |
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