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半导体光电阴极
| ISBN/价格： | 978-7-03-036576-7:CNY80.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体光电阴极/.贾欣志编著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2013.3 |
| 载体形态项： | 342页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书简介: 负电子亲和势（NEA）半导体光电阴极的出现，使光电阴极的发展摆脱了完全以经验为基础的局面，进入了以半导体带隙工程为指导，进行科学设计的新阶段。GaAs－NEA光电阴极的出现，有力地推动了夜视技术的发展。同时，由于NEA光电阴极本身的特点，使其作为电子加速器的自旋极化电子源和高亮度电子源，在高能物理和固体表面研究中，表现出明显的潜力和实用价值。除此之外，NEA光电阴极在天文，航空航天，生物化学，光纤通讯及半导体工业等方面也都派上了用场。 |
| 中图分类： | TN301 |
| 中图分类： | TN103 |
| 个人名称等同： | 贾欣志 编著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20140318 |