| ISBN/价格： | 978-7-121-20188-2:CNY79.00 |
|---|
| 作品语种： | chi eng |
|---|
| 出版国别： | CN 110000 |
|---|
| 题名责任者项： | 模拟CMOS电路设计折中与优化/.(美)David M. Binkley著/.冯军，胡庆生等译 |
|---|
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2013.05 |
|---|
| 载体形态项： | 27,523页:;+26cm |
|---|
| 丛编项： | 国外电子与通信教材系列 |
|---|
| 提要文摘： | 本书分为两部分，第一部分深入、细致地研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响；对于诸如速度饱和、垂直电场迁移率减小、漏致势垒降低等短沟道效应以及热噪声、闪烁噪声和失配等高阶效应对器件和电路性能的影响给出较为深入、详细的介绍；第二部分采用CMOS工艺结合典型电路（运算跨导放大器和微功耗， 低噪声前置放大器）设计进行实例介绍， 给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。 |
|---|
| 并列题名： | Tradeoffs and optimization in analog CMOS design eng |
|---|
| 题名主题： | CMOS电路 电路设计 教材 |
|---|
| 中图分类： | TN432.02 |
|---|
| 个人名称等同： | Binkley David M. 著 |
|---|
| 个人名称次要： | 冯军 译 |
|---|
| 个人名称次要： | 胡庆生 译 |
|---|
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20140326 |
|---|