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硅半导体器件辐射效应及加固技术
| ISBN/价格： | 978-7-03-038702-8:CNY60.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 硅半导体器件辐射效应及加固技术/.刘文平著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2013.09 |
| 载体形态项： | 222页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书重点分析讨论了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子栅穿和单粒子烧毁的基本机理及其与关键设计参数、工艺参数的关系以及辐射加固的基本原理和基本方法，最后对纳米级器件结构的辐射效应以及辐射加固的基本原理进行概述和展望。 |
| 题名主题： | 硅 半导体器件 辐射效应 |
| 题名主题： | 硅 半导体器件 抗辐射性 加固 |
| 题名主题： | 硅 |
| 题名主题： | 半导体器件 |
| 题名主题： | 辐射效应 |
| 题名主题： | 抗辐射性 |
| 中图分类： | TN304.1 |
| 个人名称等同： | 刘文平 著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20131218 |