| ISBN/价格： | 978-7-03-040034-5:CNY58.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计/.(美) Sandip Kundu, (印) Aswin Sreedhar著/.王昱阳, 谢文遨译 |
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| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2014.5 |
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| 载体形态项： | 261页:;+图:;+24cm |
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| 相关题名附注： | 英文题名取自封面 |
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| 提要文摘： | 本书的内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物理设计和可靠性；DFM工具和DFM方法。 |
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| 并列题名： | Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability eng |
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| 题名主题： | 纳米材料 CMOS电路 超大规模集成电路 电路设计 |
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| 中图分类： | TN432.02 |
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| 个人名称等同： | Kundu, Sandip 著 |
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| 个人名称等同： | Sreedhar, Aswin 著 |
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| 个人名称次要： | 王昱阳 译 |
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| 个人名称次要： | 谢文遨 译 |
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| 记录来源： | CN LCTBU 20140101 |
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