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三维电子封装的硅通孔技术
| ISBN/价格： | 978-7-122-19897-6:CNY148.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 三维电子封装的硅通孔技术/.(美)刘汉诚著/.秦飞,曹立强译 |
| 出版发行项： | 北京:,化学工业出版社:,2014.7 |
| 载体形态项： | 390页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 电子封装技术丛书 |
| 提要文摘： | 本书系统讨论了用于电子、光电子以及微机电系统（MEMS)器件三维集成的硅通孔（TSV)技术的起源、发展历程、最新的技术信息和将来发展趋势。全书共11章，主要内容包括：半导体工业中的纳米技术和三维集成技术，TSV制程的6个关键工艺步，TSV的力学行为、热问题和电行为，减薄晶圆的强度测量和封装组装过程中的拿持问题。 |
| 并列题名： | Through-silicon vias for 3d integration eng |
| 题名主题： | 电子器件 封装工艺 |
| 中图分类： | TN605 |
| 个人名称等同： | 刘汉诚 著 |
| 个人名称次要： | 秦飞 译 |
| 个人名称次要： | 曹立强 译 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20140101 |