书目信息 机读格式(MARC)
透明氧化物半导体
| ISBN/价格： | 978-7-03-041664-3:CNY148.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 透明氧化物半导体/.马洪磊，马瑾著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2014.10 |
| 载体形态项： | 10,374页:;+图:;+25cm |
| 丛编项： | 半导体科学与技术丛书 |
| 提要文摘： | 本书论述了透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础，分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质、气敏性质和光催化性质，评述新兴透明氧化物电子学。 |
| 题名主题： | 氧化物半导体 |
| 中图分类： | TN304.2 |
| 个人名称等同： | 马洪磊 著 |
| 个人名称等同： | 马瑾 著 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20141118 |