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电力半导体新器件及其制造技术
| ISBN/价格： | 978-7-111-47572-9:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 电力半导体新器件及其制造技术/.王彩琳编著 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2015.06 |
| 载体形态项： | 11,554页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 电力电子新技术系列图书 |
| 一般附注： | “十二五”国家重点图书出版规划项目 |
| 提要文摘： | 本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。全书内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件(包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管(IGCT)、功率MOSFET等新技术进行了详细介绍。 |
| 题名主题： | 电力半导体器件 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 王彩琳 编著 |
| 记录来源： | CN 人天书店 20150604 |