| ISBN/价格： | 978-7-111-49307-5:CNY99.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 先进的高压大功率器件/.(美)B. Jayant Baliga著/.于坤山[等]译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2015.05 |
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| 载体形态项： | 14,442页:;+24cm |
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| 丛编项： | 国际电气工程先进技术译丛 |
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| 提要文摘： | 本书共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST）。最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。 |
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| 并列题名： | Advanced high voltage power device concepts eng |
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| 题名主题： | 大功率 功率半导体器件 |
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| 中图分类： | TN303 |
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| 个人名称等同： | 巴利加 B.贾扬 (Baliga, B. Jayant) 著 |
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| 个人名称次要： | 于坤山 译 |
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| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20150528 |
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