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硅通孔与三维集成电路
| ISBN/价格： | 978-7-03-047164-2:CNY68.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 硅通孔与三维集成电路/.朱樟明，杨银堂著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2016.1 |
| 载体形态项： | 234页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书系统讨论了基于硅通孔的三维集成电路设计所涉及的一些关键科学问题，包括硅通孔寄生参数提取、硅通孔电磁模型、新型硅通孔结构、三维集成互连线、三维集成电路热管理、硅通孔微波/毫米波特性、碳纳米硅通孔及集成互连线等，对想深入了解硅通孔和三维集成电路的工程人员和科研人员具有很强的指导意义和实用性。本书所提出的硅通孔结构、硅通孔解析模型、硅通孔电磁模型、三维集成电路热管理、三维集成互连线建模和设计等关键技术，已经在IEEE TED、IEEE MWCL等国外著名期刊上发表，可以直接供读者参考。 |
| 题名主题： | 集成电路 封装工艺 |
| 中图分类： | TN405.94 |
| 个人名称等同： | 朱樟明 著 |
| 个人名称等同： | 杨银堂 著 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20160223 |