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超大规模集成电路先进光刻理论与应用
| ISBN/价格： | 978-7-03-048268-6:CNY260.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 超大规模集成电路先进光刻理论与应用/.韦亚一著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2016.6 |
| 载体形态项： | 15,558页:;+图:;+25cm |
| 一般附注： | 中国科学院科学出版基金资助出版 |
| 提要文摘： | 本书覆盖现代光刻技术的重要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺。在设备部分，对业界使用的主流设备进行剖析，介绍其原理结构、使用方法、和工艺参数的设置。在材料部分，介绍了包括光刻胶、抗反射涂层、抗水涂层、和使用旋图工艺的硬掩膜等材料的分子结构、使用方法，以及必须达到的性能参数。本书按照仿真技术发展的顺序，系统介绍基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、亚曝光分辨率的辅助图形、光源-掩模版共优化技术和反演光刻技术。如何控制套刻精度是光刻中公认的技术难点，本书有一章专门讨论曝光对淮系统和控制套刻精度的方法。另外，本书特别介绍新光刻工艺研究的方法论、光刻工程师的职责，以及如何协调各方资源保证研发进度。 |
| 题名主题： | 超大规模集成电路 光刻系统 研究 |
| 中图分类： | TN305.7 |
| 个人名称等同： | 韦亚一 著 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20160831 |