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金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制
| ISBN/价格： | 978-7-5629-5453-8:CNY50.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 420000 |
| 题名责任者项： | 金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制/.廖蕾著 |
| 出版发行项： | 武汉:,武汉理工大学出版社:,2017.9 |
| 载体形态项： | 162页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 新材料科学与技术丛书 |
| 一般附注： | 湖北省学术著作出版专项资金资助项目 |
| 提要文摘： | 本书主要以几种常见的过渡族金属氧化物为研究对象，介绍了它们一维纳米线的制备及其物性研究。本书主要内容包括：通过化学气相传输法，首次生长出特殊的类螺杆状结构Zn纳米线，给出了ZnO纳米线直径及纳米带宽度与电声子耦合强度的关系，研究了一维ZnO纳米结构的场发射特性；分别通过离子注入法和水蒸气辅助气相传输法，制备了Co掺杂和Al、Co共同掺杂的ZnO纳米线稀磁半导体，证实了ZnO纳米线掺杂后在室温下磁性，分析了Al、Co共同掺杂对ZnO纳米线磁学性质的调控机制并深入了解了载流子浓度与磁性的关系；通过光刻微加工技术，研制了单纳米线器件，提供了将n型ZnO纳米线由半导体性转变为金属性的新思路，探讨了ZnO纳米线铁电存储器的存储机制及提高器件对H2S气体灵敏度的方法；研究分析了单根过渡族金属氧化物纳米线的输运性质。 |
| 题名主题： | 化合物半导体 半导体材料 纳米材料 研究 |
| 中图分类： | TN304.2 |
| 中图分类： | TB383 |
| 个人名称等同： | 廖蕾 著 |
| 记录来源： | CN shxhcmtsbmb 20171030 |