| ISBN/价格： | 978-7-03-051042-6:CNY138.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 纳米半导体场发射冷阴极理论与实验/.王如志, 严辉著 |
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| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2017.1 |
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| 载体形态项： | 334页, [2] 页图版:;+图:;+25cm |
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| 提要文摘： | 本书主要包括以下内容：半导体场发射理论模型及其在纳米体系下的场发射理论模型的适用性问题；半导体量子结构增强场发射基本原理与思想；从实验与理论两方面系统探讨了不同的量子结构(晶轴取向、膜厚膜层、组分搭配、 掺杂浓度及表面处理等)半导体薄膜的场电子发射特性、场发射耦合增强物理机制及其能谱特性。最后，对纳米半导体场发射冷阴极器件的发展与应用进行了展望。 |
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| 并列题名： | Theory and experiment of nano-semiconductor field emission cold cathode eng |
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| 题名主题： | 半导体材料 纳米材料 电子发射 冷阴极 研究 |
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| 中图分类： | TN304 |
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| 中图分类： | TB383 |
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| 个人名称等同： | 王如志 著 |
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| 个人名称等同： | 严辉 著 |
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| 记录来源： | CN 北京新华书店首都发行所有限公司 20170308 |
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