| ISBN/价格： | 978-7-5647-3262-2:CNY68.00 (含光盘) |
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| ISBN/价格： | 978-7-900847-05-8 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 510000 |
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| 题名责任者项： | 功率半导体器件电场优化技术/.张波, 罗小蓉, 李肇基著 |
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| 出版发行项： | 成都:,电子科技大学出版社:,2015.12 |
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| 载体形态项： | 454页:;+图:;+24cm:;+光盘1片 |
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| 丛编项： | 集成电路系统科技创新技术 |
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| 一般附注： | “十二五”国家重点出版物出版规划项目 国家出版基金资助项目 四川省重点出版资金资助项目 |
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| 提要文摘： | 本书以2010年国家科技进步二等奖的研究成果“新型功率半导体器件休内场关键技术与应用”为基础，针对功率器件耐压低的瓶颈问题，全面阐述了著作者及其团队在功率半导体器件研究所取得的创新性成果，重点阐述了SOI基高压器件介质场增强理论与技术、硅基高压器件体内场降低理论与技术，并介绍了研发的系列新型功率半导体器件产品。 |
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| 题名主题： | 功率半导体器件 电场 最佳化 |
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| 中图分类： | TN303 |
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| 个人名称等同： | 张波 著 |
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| 个人名称等同： | 罗小蓉 著 |
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| 个人名称等同： | 李肇基 著 |
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| 记录来源： | CN 北京新华书店首都发行所有限公司 20171011 |
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