ISBN/价格: | 978-7-5024-7695-3:CNY36.00 |
---|---|
作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 材料结构与物性研究/.孙霄霄, 张丹著 |
出版发行项: | 北京:,冶金工业出版社:,2018.1 |
载体形态项: | 137页:;+图:;+24cm |
一般附注: | 本书受到牡丹江师范学院学术专著出版基金资助 |
提要文摘: | 本书采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对半导体材料Si、二元半导体化合物 (BiI3、Li3Bi、SbI3、AsI3) 和过渡金属化合物 (Mo2BC、Mo3Al2C) 在高压下的结构、力学和电子性质进行了系统的研究。全书共分十章,第一章为绪论部分,第二章是First-Principles (第一性原理) 计算的理论方法,第三章是计算程序Materials Studio 简介,第四章介绍了半导体化合物BiI3的晶体结构、弹性性质、电子性质和高压下的结构相变,第五章、第六章和第七章分别介绍了高压下Li3Bi 、SbI3和AsI3的晶体结构、弹性性质和电子性质。第八章和第九章介绍了过渡金属化合物Mo2BC、Mo3Al2C的晶体结构、弹性性质和电子性质。第十章分析了单晶Si的晶体结构、弹性性质和电子性质。 |
题名主题: | 工程材料 结构性能 |
中图分类: | TB303 |
个人名称等同: | 孙霄霄 著 |
个人名称等同: | 张丹 著 |
记录来源: | CN 北京新华书店首都发行所有限公司 20180313 |