| ISBN/价格： | 978-7-111-58680-7:CNY150.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 碳化硅技术基本原理/.(日) 木本恒暢, (美) 詹姆士 A. 库珀著/.夏经华 ... [等] 译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2018.5 |
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| 载体形态项： | xiii, 500页:;+图:;+24cm |
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| 丛编项： | 新型电力电子器件丛书 |
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| 提要文摘： | 本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和最新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、最新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。 |
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| 并列题名： | Fundamentals of silicon carbide technology : growth, characterization, devices, and applications |
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| 题名主题： | 碳化硅陶瓷 |
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| 中图分类： | TQ174.75 |
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| 个人名称等同： | 木本恒暢 著 |
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| 个人名称等同： | 库珀 著 |
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| 个人名称次要： | 夏经华 译 |
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| 记录来源： | CN 北京新华书店首都发行所有限公司 20180517 |
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