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纳米级场效应晶体管建模与结构优化研究
| ISBN/价格： | 978-7-302-47779-2:CNY68.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米级场效应晶体管建模与结构优化研究/.靳晓诗，刘溪著 |
| 出版发行项： | 北京:,清华大学出版社:,2017.07 |
| 载体形态项： | 241页:;+26cm |
| 提要文摘： | 本书是对作者在纳米级场效应晶体管领域科研学术成果的系统性论述，具体内容包括纳米级场效应晶体管寄生电容模型、传统纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管机理模型、新兴无结型场效应晶体管机理模型以及无结型场效应晶体管的结构优化。 |
| 题名主题： | 纳米技术 应用 场效应晶体管 系统建模 研究 |
| 题名主题： | 纳米技术 应用 场效应晶体管 优化结构 研究 |
| 中图分类： | TN386 |
| 个人名称等同： | 靳晓诗 著 |
| 个人名称等同： | 刘溪 著 |
| 记录来源： | CN 上海新华传媒连锁有限公司 20171019 |