| ISBN/价格： | 978-7-5693-0992-8:CNY138.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 610000 |
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| 题名责任者项： | 模拟CMOS集成电路设计/.(美)毕查德·拉扎维(Behzad Razavi)著/.陈贵灿[等]译 |
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| 版本项： | 2版 |
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| 出版发行项： | 西安:,西安交通大学出版社:,2018.2 |
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| 载体形态项： | 14,10,724页:;+图:;+26cm |
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| 一般附注： | 国外名校最新教材精选 |
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| 提要文摘： | 本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，讲解该技术的最新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 |
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| 并列题名： | Design of analog CMOS integrated circuits eng |
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| 题名主题： | CMOS电路 电路设计 |
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| 中图分类： | TN432.02 |
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| 个人名称等同： | 拉扎维 毕查德 (Razavi, Behzad) 著 |
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| 个人名称次要： | 陈贵灿 译 |
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| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20190419 |
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