| ISBN/价格: | 978-7-111-60498-3:CNY98.00 |
|---|---|
| 作品语种: | chi |
| 出版国别: | CN 110000 |
| 题名责任者项: | 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)设计与工艺/.赵善麒,高勇,王彩琳等编著 |
| 出版发行项: | 北京:,机械工业出版社:,2018.10 |
| 载体形态项: | 10,294页:;+图,照片:;+24cm |
| 丛编项: | 智能制造与装备制造业转型升级丛书 |
| 丛编项: | 电力电子新技术系列图书 |
| 一般附注: | “十三五”国家重点出版物出版规划项目 |
| 提要文摘: | 本书共分10章,包括器件结构和工作原理、器件特性分析、器件设计、器件制造工艺、器件仿真、器件封装、器件测试、器件可靠性和失效分析、器件应用和衍生器件及SiC-IGBT。 |
| 并列题名: | Design and process of insulated gate bipolar transistor eng |
| 题名主题: | 绝缘栅场效应晶体管 |
| 中图分类: | TN386.2 |
| 个人名称等同: | 赵善麒 编著 |
| 个人名称等同: | 高勇 编著 |
| 个人名称等同: | 王彩琳 编著 |
| 记录来源: | CN 浙江省新华书店集团公司 20181030 |