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纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化:从电路级到系统级
| ISBN/价格： | 978-7-302-52299-7:CNY69.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化/.靳松, 韩银和著 |
| 出版发行项： | 北京:,清华大学出版社:,2019.6 |
| 载体形态项： | 181页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本文的主要内容涉及了在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性 (Negative bias temperature instability-NBTI) 和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响, 并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。 |
| 并列题名： | Analysis and optimization on large-scale CMOS integrated circuits in the presence of parameter variability eng |
| 题名主题： | 纳米材料 数字集成电路 研究 |
| 中图分类： | TN431.2 |
| 个人名称等同： | 靳松 著 |
| 个人名称等同： | 韩银和 著 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20190614 |