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抗辐射集成电路设计理论与方法
| ISBN/价格： | 978-7-302-50529-7:CNY139.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 抗辐射集成电路设计理论与方法/.高武著 |
| 出版发行项： | 北京:,清华大学出版社:,2018.10 |
| 载体形态项： | 308页, [8] 页图版:;+图 (部分彩图):;+27cm |
| 提要文摘： | 本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应; 接下来, 本书详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学, 包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等; 最后, 本书介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。 |
| 并列题名： | Design theories and methods of radiation-hardened CMOS integrated circuits eng |
| 题名主题： | 抗辐射性 集成电路 电路设计 |
| 中图分类： | TN402 |
| 个人名称等同： | 高武 著 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20181008 |