ISBN/价格: | 978-7-121-34267-7:CNY59.90 |
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作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 微电子器件/.陈星弼等编著 |
版本项: | 第4版 |
出版发行项: | 北京:,电子工业出版社:,2018.7 |
载体形态项: | xiv, 333页:;+图:;+26cm |
丛编项: | 微电子与集成电路设计系列规划教材 |
一般附注: | “十二五”普通高等教育本科国家级规划教材 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 |
提要文摘: | 本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上, 全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管 (BJT) 和绝缘栅场效应晶体管 (MOSFET) 的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题, 便于读者巩固及加深对所学知识的理解。 |
题名主题: | 微电子技术 电子器件 高等教育 教材 |
中图分类: | TN4 |
个人名称等同: | 陈星弼 编著 |
个人名称等同: | 陈勇 编著 |
个人名称等同: | 刘继芝 编著 |
记录来源: | CN 湖北三新 20181122 |