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硅基应变半导体物理
| ISBN/价格： | 978-7-5606-5294-8:CNY23.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | 硅基应变半导体物理/.宋建军，杨雯，赵新燕著 |
| 出版发行项： | 西安:,西安电子科技大学出版社:,2019.5 |
| 载体形态项： | 132页:;+图:;+26cm |
| 一般附注： | 西安电子科技大学研究生精品教材建设项目 |
| 提要文摘： | 本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型，并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。 |
| 题名主题： | 硅基材料 半导体物理学 研究 |
| 中图分类： | O47 |
| 个人名称等同： | 宋建军 著 |
| 个人名称等同： | 杨雯 著 |
| 个人名称等同： | 赵新燕 著 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20190712 |