| ISBN/价格： | 978-7-03-061162-8:CNY168.00 |
|---|
| 作品语种： | chi |
|---|
| 出版国别： | CN 110000 |
|---|
| 题名责任者项： | 晶体生长中输运现象及晶体缺陷/.方海生，刘胜著 |
|---|
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2019.6 |
|---|
| 载体形态项： | 12,351页:;+图，照片:;+24cm |
|---|
| 提要文摘： | 本书首先阐述晶体生长的基本原理和输运现象，并介绍计算流体力学方法；其次着重讨论薄膜制备中传热和传质现象，包括薄膜制备系统的复杂化学反应机理，并介绍与传热和传质相关的晶体缺陷；然后，以多晶硅、蓝宝石、氮化镓等应用广泛的晶体为例，讨论块状晶体、薄膜晶体制备过程的研究方法和优化策略；最后，书中进一步讨论从分子动力学角度理解开裂、位错等晶体缺陷形成的机理，以及采用第一性原理辅助的分子动力学方法预测热物性参数的理论。 |
|---|
| 并列题名： | Transport phenomena during crystal growth and crystal defects eng |
|---|
| 题名主题： | 晶体生长 输运过程 |
|---|
| 题名主题： | 晶体缺陷 |
|---|
| 中图分类： | O78 |
|---|
| 中图分类： | O77 |
|---|
| 个人名称等同： | 方海生 著 |
|---|
| 个人名称等同： | 刘胜 著 |
|---|
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20190702 |
|---|