ISBN/价格: | 978-7-03-061162-8:CNY168.00 |
作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 晶体生长中输运现象及晶体缺陷/.方海生,刘胜著 |
出版发行项: | 北京:,科学出版社:,2019.6 |
载体形态项: | 12,351页:;+图,照片:;+24cm |
提要文摘: | 本书首先阐述晶体生长的基本原理和输运现象,并介绍计算流体力学方法;其次着重讨论薄膜制备中传热和传质现象,包括薄膜制备系统的复杂化学反应机理,并介绍与传热和传质相关的晶体缺陷;然后,以多晶硅、蓝宝石、氮化镓等应用广泛的晶体为例,讨论块状晶体、薄膜晶体制备过程的研究方法和优化策略;最后,书中进一步讨论从分子动力学角度理解开裂、位错等晶体缺陷形成的机理,以及采用第一性原理辅助的分子动力学方法预测热物性参数的理论。 |
并列题名: | Transport phenomena during crystal growth and crystal defects eng |
题名主题: | 晶体生长 输运过程 |
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题名主题: | 晶体缺陷 |
中图分类: | O78 |
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中图分类: | O77 |
个人名称等同: | 方海生 著 |
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个人名称等同: | 刘胜 著 |
记录来源: | CN 浙江省新华书店集团公司 20190702 |