ISBN/价格: | 978-7-122-35272-9:CNY48.00 |
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作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 二维化合物的吸附特性/.琚伟伟著 |
出版发行项: | 北京:,化学工业出版社:,2020.1 |
载体形态项: | 106页:;+图:;+24cm |
提要文摘: | 本书是作者近年来在对二维化合物材料的电子结构、磁特性以及相变的研究基础上撰写而成的, 系统地介绍了吸附、掺杂、缺陷等调控方法对二维MoS2和InSe材料的电子性质及磁特性的影响。全书共分七章, 前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法。第3章介绍了Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS2结构、电子性质的影响, 第4章介绍了反位缺陷对单层MoS2电子和磁学性质的影响, 第5章介绍了非金属原子吸附对缺陷单层MoS2磁学性质的影响, 第6章介绍了3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响, 第7章介绍了小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响。 |
题名主题: | 过渡金属化合物 |
中图分类: | O614 |
个人名称等同: | 琚伟伟 著 |
记录来源: | CN 湖北三新 20191216 |