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硅基锗材料生长与器件构筑
| ISBN/价格： | 978-7-5661-2648-1:CNY46.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 230000 |
| 题名责任者项： | 硅基锗材料生长与器件构筑/.陈城钊著 |
| 出版发行项： | 哈尔滨:,哈尔滨工程大学出版社:,2020.4 |
| 载体形态项： | 99页:;+图:;+24cm |
| 一般附注： | 本书出版得到的资助: 广东省科技厅自然科学基金项目“硅基绝缘体上锗 (GOI) 材料高速高灵敏度光电探测器的研究”(2016A030307038); 广东省教育厅创新强校工程自然科学特色创新项目“用于Si基光电集成的Ge光电探测器的研制和性能改进”(2015KTSCX0090) |
| 提要文摘： | 本书是一本硅基锗材料及其光电器件方面的入门书籍。本书分为三个部分, 首先介绍了硅基锗材料生长及器件的基础知识, 接着阐述了采用低温缓冲层技术外延生长硅基锗材料, 锗的原位硼 (B) 和磷 (P) 掺杂, 最后是硅基锗 PN结和PIN结构的基本物理特性, 并给出相关特性的定性与定量分析。 |
| 题名主题： | 锗 硅基材料 纳米材料 半导体光电器件 结构 |
| 中图分类： | TN304.2 |
| 中图分类： | TN36 |
| 个人名称等同： | 陈城钊 著 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20200602 |