书目信息 机读格式(MARC)
基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征:英文
| ISBN/价格： | 978-7-5680-5903-9:CNY48.00 |
|---|---|
| 作品语种： | eng |
| 出版国别： | CN 420000 |
| 题名责任者项： | 基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征/.Fabi Zhang著 |
| 出版发行项： | 武汉:,华中科技大学出版社:,2020.5 |
| 载体形态项： | 158页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书主要研究了新一带超宽禁带半导体材料-氧化镓的基本性质; 全书从氧化镓的基本性质与国内外研究现状入手, 详细论述了氧化镓生长质量的影响因素; 论述了利用掺杂来氧化镓电导率调制的方法与机制; 论述了分别利用氧化铟和氧化铝和氧化镓来形成合金从而调节其禁带宽度的方法与机制。 |
| 并列题名： | Growth and characterization of Ga2O3-based widebandgap semiconductor films eng |
| 题名主题： | 半导体薄膜技术 研究 英文 |
| 中图分类： | TN304.055 |
| 个人名称等同： | 张法碧 著 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20200902 |