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IGBT疲劳失效机理及其健康状态监测
| ISBN/价格： | 978-7-111-63407-2:CNY59.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | IGBT疲劳失效机理及其健康状态监测/.肖飞[等]编著 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2019.11 |
| 载体形态项： | 232页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书通过分析IGBT芯片与封装疲劳失效机理，在研究失效特征量随疲劳老化时间变化规律的基础之上，通过将理论分析与解析描述相结合，建立了IGBT相关电气特征量的健康状态监测方法，对处于不同寿命阶段的IGBT器件健康状态进行有效评估。 |
| 题名主题： | 绝缘栅场效应晶体管 疲劳机理 监测 |
| 中图分类： | TN386.2 |
| 个人名称等同： | 肖飞 编著 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20191118 |