| ISBN/价格： | 978-7-111-65981-5:CNY99.00 |
|---|
| 作品语种： | chi inc |
|---|
| 出版国别： | CN 110000 |
|---|
| 题名责任者项： | 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模/.(印)尤盖希·辛格·楚罕 (Yogesh Singh Chauhan)[等]著/.陈铖颖，张宏怡，荆有波译 |
|---|
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2020.09 |
|---|
| 载体形态项： | 239页:;+图:;+24cm |
|---|
| 丛编项： | 微电子与集成电路先进技术丛书 |
|---|
| 相关题名附注： | 封面英文题名：FinFET modeling for IC simulation and design: using the BSIM-CMG standard |
|---|
| 提要文摘： | 本书从三维结构的原理、物理效应入手，详细讨论了FinFET紧凑模型(BSIM-CMG)产生的背景、原理、参数以及实现方法；同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导，而进行了更为直接的机理分析，力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。 |
|---|
| 并列题名： | Using the BSIM-CMG standard eng |
|---|
| 题名主题： | 集成电路 电路设计 系统建模 |
|---|
| 中图分类： | TN402 |
|---|
| 个人名称等同： | 楚罕 尤盖希·辛格 (印) 著 |
|---|
| 个人名称次要： | 陈铖颖 译 |
|---|
| 个人名称次要： | 张宏怡 译 |
|---|
| 个人名称次要： | 荆有波 译 |
|---|
| 记录来源： | CN 人天书店 20201016 |
|---|