| ISBN/价格: | 978-7-111-66352-2:CNY159.00 |
|---|---|
| 作品语种: | chi inc |
| 出版国别: | CN 110000 |
| 题名责任者项: | IGBT理论与设计/.(印)维诺德·库马尔·卡纳(Vinod Kumar Khanna)著/.杨兵,康玄武,王杨译 |
| 出版发行项: | 北京:,机械工业出版社:,2020.10 |
| 载体形态项: | 16,413页:;+图:;+26cm |
| 一般附注: | 经典著作,权威执笔功率器件优秀教材 |
| 相关题名附注: | 封面英文题名:IGBT theory and design |
| 提要文摘: | 本书还介绍了制造功率IGBT的工艺技术,对功率IGBT模块和相关的技术进行了讨论,对新的IGBT技术也进行了介绍。最后介绍了IGBT在电机驱动器、汽车点火控制、电源、焊接、感应加热等领域中的应用情况。 |
| 并列题名: | IGBT theory and design eng |
| 题名主题: | 绝缘栅场效应晶体管 研究 |
| 中图分类: | TN386.2 |
| 个人名称等同: | 卡纳 维诺德·库马尔 (印) 著 |
| 个人名称次要: | 杨兵 译 |
| 个人名称次要: | 康玄武 译 |
| 个人名称次要: | 王杨 译 |
| 记录来源: | CN 人天书店 20201124 |