| ISBN/价格： | 978-7-302-55663-3:CNY89.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 负电容场效应晶体管特性及其解析模型研究/.蒋春生著 |
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| 出版发行项： | 北京:,清华大学出版社:,2020.10 |
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| 载体形态项： | 22,149页:;+图:;+24cm |
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| 丛编项： | 清华大学优秀博士学位论文丛书 |
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| 提要文摘： | 本书采用数值仿真、解析建模和实验制备的手段对集成电路亚10nm阶段新型低功耗半导体器件——负电容场效应晶体管(NC-FET)的工作原理和设计优化进行了研究。在负电容场效应晶体管的解析模型及其特性优化、新型负电容场效应晶体管器件的结构提出，以及基于二维材料的负电容场效应晶体管的制备等方面，进行了一系列原创性的探索。 |
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| 并列题名： | Research on the electrical characteristics and analytical model of negative capacitance field effect transistor eng |
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| 题名主题： | 场效应晶体管 研究 |
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| 中图分类： | TN386 |
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| 个人名称等同： | 蒋春生 著 |
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| 记录来源： | CN 人天书店 20201127 |
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