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纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究
| ISBN/价格： | 978-7-302-55747-0:CNY69.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究/.陈荣梅著 |
| 出版发行项： | 北京:,清华大学出版社:,2020.11 |
| 载体形态项： | 23,124页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 清华大学优秀博士学位论文丛书 |
| 提要文摘： | 空间辐射环境对宇航电子系统构成严重的可靠性威胁。纳米集成电路具有高性能、高集成度等优点，是未来宇航电子系统的必然选择。本书深入研究纳米体硅CMOS工艺逻辑电路中单粒子效应的产生与传播受电路工作电压、频率和版图结构这些电路内在因素以及温度和总剂量两种空间环境变量的影响规律及其机理。 |
| 并列题名： | Study of single-event effects of logic circuits in nanometer bulk CMOS process eng |
| 题名主题： | CMOS电路 单粒子态 效应 研究 |
| 中图分类： | TN432 |
| 个人名称等同： | 陈荣梅 著 |
| 记录来源： | CN 人天书店 20201216 |