| ISBN/价格： | 978-7-03-068516-2:CNY145.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 硅锗低维材料可控生长/.马英杰[等]著 |
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| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2021.05 |
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| 载体形态项： | 255页:;+图:;+24cm |
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| 丛编项： | 先进功能材料丛书 |
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| 相关题名附注： | 封面英文题名：Controllable growth of low-dimensional SiGe materials |
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| 提要文摘： | 本书首先简要介绍低维异质半导体材料及其物理性质，概述刻蚀和分子束外延生长两种基本的低维半导体材料制备方法，简要说明分子束外延技术设备的工作原理和低维异质结构的外延生长过程及其工艺发展。接着分别从热力学和动力学的角度详细阐述了硅锗低维结构的外延生长机理及其相关理论，重点讨论图形衬底上的硅锗低维结构可控生长理论和硅锗低维结构的可控外延生长技术。最后，简要介绍可控硅锗低维结构的光电特性及其器件与集成应用研究，并展望基于可控外延生长量子点的新型器件。 |
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| 并列题名： | Controllable growth of low-dimensional SiGe materials eng |
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| 题名主题： | 半导体材料 纳米材料 研究 |
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| 中图分类： | TN304 |
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| 中图分类： | TB383 |
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| 个人名称等同： | 马英杰 著 |
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| 记录来源： | CN 人天书店 20210804 |
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