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改性锗半导体物理
| ISBN/价格： | 978-7-5606-5951-0:CNY20.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | 改性锗半导体物理/.宋建军，冒剑军，薛笑欢编著 |
| 出版发行项： | 西安:,西安电子科技大学出版社:,2020.12 |
| 载体形态项： | 106页:;+图:;+26cm |
| 一般附注： | 西安电子科技大学研究生精品教材建设项目 |
| 提要文摘： | 本书共7章，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。 |
| 题名主题： | 锗 半导体物理 |
| 中图分类： | TN304.1 |
| 个人名称等同： | 宋建军 编著 |
| 个人名称等同： | 冒剑军 编著 |
| 个人名称等同： | 薛笑欢 编著 |
| 记录来源： | CN 人天书店 20210313 |