ISBN/价格: | 978-7-111-68175-5:CNY99.00 |
作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 碳化硅功率器件/.高远,陈桥梁编著 |
出版发行项: | 北京:,机械工业出版社:,2021.07 |
载体形态项: | 14,311页:;+图:;+24cm |
一般附注: | 电力电子新技术系列图书 |
相关题名附注: | 封面英文题名:Silicon Carbide power semiconductor devices: characteristics, testing and applications |
提要文摘: | 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术,概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节,分别为功率半导体器件的基础,SiC MOSFET参数解读、测试及应用,双脉冲测试,SiC与Si器件特性对比,高di/dt影响与应对——关断电压尖峰,高dv/dt影响与应对——crosstalk,共模电流的影响与应对,共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。 |
并列题名: | Characteristics, testing and applications eng |
题名主题: | 功率半导体器件 |
中图分类: | TN303 |
个人名称等同: | 高远 编著 |
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个人名称等同: | 陈桥梁 编著 |
记录来源: | CN 人天书店 20210813 |