| ISBN/价格： | 978-7-111-68175-5:CNY99.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 碳化硅功率器件/.高远，陈桥梁编著 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2021.07 |
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| 载体形态项： | 14,311页:;+图:;+24cm |
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| 一般附注： | 电力电子新技术系列图书 |
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| 相关题名附注： | 封面英文题名：Silicon Carbide power semiconductor devices: characteristics, testing and applications |
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| 提要文摘： | 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术，概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节，分别为功率半导体器件的基础，SiC MOSFET参数解读、测试及应用，双脉冲测试，SiC与Si器件特性对比，高di/dt影响与应对——关断电压尖峰，高dv/dt影响与应对——crosstalk，共模电流的影响与应对，共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。 |
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| 并列题名： | Characteristics, testing and applications eng |
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| 题名主题： | 功率半导体器件 |
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| 中图分类： | TN303 |
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| 个人名称等同： | 高远 编著 |
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| 个人名称等同： | 陈桥梁 编著 |
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| 记录来源： | CN 人天书店 20210813 |
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