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氮化镓基半导体异质结构及二维电子气
| ISBN/价格： | 978-7-5606-5906-0:CNY88.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | 氮化镓基半导体异质结构及二维电子气/.沈波，唐宁著 |
| 出版发行项： | 西安:,西安电子科技大学出版社:,2021.04 |
| 载体形态项： | 378页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 宽禁带半导体前沿丛书 |
| 一般附注： | 国家出版基金项目 |
| 提要文摘： | 本书基于国内外GaN基电子材料和器件的发展现状和趋势，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件研制等方面详细论述了GaN基半导体异质结构和二维电子气的物理性质、国内外发展动态、面临的关键科学技术问题、主要的材料和器件研发成果及其应用情况和发展前景。 |
| 并列题名： | Gab based semiconductor heterostructures and two dimensional electron gas eng |
| 题名主题： | 氮化镓 半导体材料 异质结 |
| 题名主题： | 氮化镓 半导体材料 物理性质 |
| 中图分类： | TN304 |
| 个人名称等同： | 沈波 著 |
| 个人名称等同： | 唐宁 著 |
| 记录来源： | CN 人天书店 20210527 |