| ISBN/价格： | 978-7-5684-1424-1:CNY38.00 |
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| 作品语种： | eng |
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| 出版国别： | CN 320000 |
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| 题名责任者项： | 硅基氮化镓光电探测器的多层异质外延生长研究/.郑益著 |
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| 出版发行项： | 镇江:,江苏大学出版社:,2020.07 |
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| 载体形态项： | 195页:;+图:;+22cm |
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| 丛编项： | 光电材料器件测试及控制技术系列丛书 |
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| 一般附注： | 常州市国际合作计划项目 江苏省品牌专业二期建设项目 江苏省第16批“六大人才高峰”高层次人才培养对象 常州工学院自然科学基金资助项目资助出版 |
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| 提要文摘： | 本书为英文图书，研究了氮化铝缓冲层对氮化镓外延层表面形貌和晶体质量的影响，讨论了氮化镓异质外延生长中镓扩散到硅衬底中并溶解形成镓—硅合金的途径，最终经过优化得以实现利用等离子辅助分子束外延在硅(111)衬底上生长出无微晶的光滑氮化镓外延层。 |
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| 并列题名： | Studies on plasma assisted molecular beam epitaxial growth of GaN-Based multilayer heterostructures on Si for photodetector application eng |
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| 题名主题： | 硅基材料 氧化镓 光电探测器 研究 英文 |
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| 中图分类： | TN215 |
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| 个人名称等同： | 郑益 著 |
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| 记录来源： | CN 人天书店 20210309 |
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