ISBN/价格: | 978-7-03-067440-1:CNY150.00 |
作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 宽禁带半导体电子材料与器件/.沈波,唐宁编著 |
出版发行项: | 北京:,科学出版社:,2021.01 |
载体形态项: | 11,316页:;+图:;+24cm |
丛编项: | 先进功能材料丛书 |
相关题名附注: | 封面英文题名:Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors |
提要文摘: | 本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件,从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 |
并列题名: | Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors eng |
题名主题: | 禁带 半导体材料 |
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题名主题: | 禁带 半导体器件 |
中图分类: | TN304.2 |
个人名称等同: | 沈波 编著 |
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个人名称等同: | 唐宁 编著 |
记录来源: | CN 人天书店 20210407 |