| ISBN/价格： | 978-7-03-067440-1:CNY150.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 宽禁带半导体电子材料与器件/.沈波，唐宁编著 |
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| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2021.01 |
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| 载体形态项： | 11,316页:;+图:;+24cm |
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| 丛编项： | 先进功能材料丛书 |
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| 相关题名附注： | 封面英文题名：Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors |
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| 提要文摘： | 本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 |
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| 并列题名： | Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors eng |
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| 题名主题： | 禁带 半导体材料 |
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| 题名主题： | 禁带 半导体器件 |
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| 中图分类： | TN304.2 |
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| 个人名称等同： | 沈波 编著 |
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| 个人名称等同： | 唐宁 编著 |
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| 记录来源： | CN 人天书店 20210407 |
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