| ISBN/价格： | 978-7-111-69481-6:CNY119.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 纳米集成电路FinFET器件物理与模型/.(美)萨马·K.萨哈(Samar K.Saha)著/.丁扣宝译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2022.02 |
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| 载体形态项： | 13,238页:;+图:;+24cm |
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| 丛编项： | 集成电路科学与工程丛书 |
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| 相关题名附注： | 封面英文题名：Finfet devices for vlsi circuits and systems |
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| 提要文摘： | 本书讲解FinFET器件电子学，介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型。 |
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| 并列题名： | Finfet devices for vlsi circuits and systems eng |
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| 题名主题： | 纳米材料 集成电路工艺 系统建模 |
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| 中图分类： | TN405 |
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| 个人名称等同： | 萨哈 萨马·K. (美) 著 |
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| 个人名称次要： | 丁扣宝 译 |
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| 记录来源： | CN 人天书店 20220311 |
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