ISBN/价格: | 978-7-121-42500-4:CNY158.00 |
作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | CMOS芯片结构与制造技术/.潘桂忠编著 |
出版发行项: | 北京:,电子工业出版社:,2021.12 |
载体形态项: | 15,358页:;+图:;+26cm |
丛编项: | 集成电路基础与实践技术丛书 |
一般附注: | 工信学术出版基金 |
相关题名附注: | 封面英文题名:Complementary metal oxide semiconductor |
提要文摘: | 本书从CMOS芯片结构技术出发,系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术,内容包括单阱CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS,以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表,从芯片结构出发,利用计算机和它所提供的软件,描绘出芯片制造的各工序剖面结构,从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构,介绍了各种典型制造技术,并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构,对于电路设计﹑芯片制造﹑良率提升﹑产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。 |
并列题名: | Complementary metal oxide semiconductor eng |
题名主题: | CMOS电路 芯片 生产工艺 |
中图分类: | TN430.5 |
个人名称等同: | 潘桂忠 编著 |
记录来源: | CN 人天书店 20220307 |