| ISBN/价格： | 978-7-121-42500-4:CNY158.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | CMOS芯片结构与制造技术/.潘桂忠编著 |
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| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2021.12 |
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| 载体形态项： | 15,358页:;+图:;+26cm |
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| 丛编项： | 集成电路基础与实践技术丛书 |
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| 一般附注： | 工信学术出版基金 |
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| 相关题名附注： | 封面英文题名：Complementary metal oxide semiconductor |
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| 提要文摘： | 本书从CMOS芯片结构技术出发，系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术，内容包括单阱CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS，以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表，从芯片结构出发，利用计算机和它所提供的软件，描绘出芯片制造的各工序剖面结构，从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构，介绍了各种典型制造技术，并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构，对于电路设计﹑芯片制造﹑良率提升﹑产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。 |
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| 并列题名： | Complementary metal oxide semiconductor eng |
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| 题名主题： | CMOS电路 芯片 生产工艺 |
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| 中图分类： | TN430.5 |
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| 个人名称等同： | 潘桂忠 编著 |
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| 记录来源： | CN 人天书店 20220307 |
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