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垂直型GaN和SiC功率器件
| ISBN/价格： | 978-7-111-70502-4:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi jpn |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 垂直型GaN和SiC功率器件/.(日)望月和浩著/.黄锋等译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2022.07 |
| 载体形态项： | 12,217页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
| 一般附注： | 机工电子 |
| 提要文摘： | 本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术，内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较，GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺，主要器件结构与特性，以及垂直型GaN和SiC器件的可靠性研究等。 |
| 并列题名： | Vertical GaN and SiC power devices eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 望月和浩 著 |
| 个人名称次要： | 黄锋 译 |
| 记录来源： | CN 人天书店 20220721 |